Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2Capacitate de stocare500 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate375000 IOPSMaximum Random Write Rate300
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2Capacitate de stocare500 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate375000 IOPSMaximum Random Write Rate300
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorie3D NANDMaximum Random Read Rate72000 IOPSMaximum Random Write Rate82000 IOPS
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorie3D NANDMaximum Random Read Rate72000 IOPSMaximum Random Write Rate82000 IOPS